山東濟寧奧超生產(chǎn)超聲波半導體清洗機設備

半導體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心，而半導體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)是硅材料工業(yè)。雖然有各種各樣新型的半導體材料不斷出現(xiàn)，但 90%以上的半導體器件和電路，尤其是超大規(guī)模集成電路（ULSI）都是制作在高純優(yōu)質(zhì)的硅單晶拋光片和外延片上的。

硅片清洗對半導體工業(yè)的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因為硅片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展以及人們對原料要求的提高，污染物對器件的影響也愈加突出。

20世紀70年代在單通道電子倍增器基礎(chǔ)上發(fā)展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡單、增益高、時間響應快和空間成像等特點，因而得到廣泛應。它主要應用于各種類型的像增強器、夜視儀、量子位置探測器、射線放大器、場離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強器的核心部件。MCP的制作工藝周期長且復雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關(guān)鍵因素之一。在MCP的工藝制造過程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機物和無機物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢,產(chǎn)生發(fā)射點、黑點、暗斑等,導致MCP的良品率下降,使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效,因此在MCP的制造過程中利用超聲波清洗技術(shù)去除污染物十分重要。

普通的清洗方法一般不能達到孔內(nèi),而孔內(nèi)芯料的反應生成物及其他污染物會在后序工藝中會產(chǎn)生重復污染。無論是采用有機溶劑或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用超聲波清洗技術(shù)卻可以實現(xiàn)無重復污染,而且能深入MCP孔內(nèi)的效果。對不同材料及孔徑的MCP應采用頻率、聲強可調(diào)的超聲波進行實驗,以確定實際工藝參數(shù)。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當媒液為水和乙醇時,可采用空化閾約1/3 W/cm2,聲強10~20 W/cm2,頻率20~120 kHz的超聲波進行清洗。表1是同一段不同板號的MCP采用不同頻率超聲波清洗后表觀及電性能測試結(jié)果。由檢測結(jié)果可見,對1μm以下的小顆粒污染物,應選用頻率40 kHz以上的超聲波進行清洗。