在陶瓷拋光機拋光硅片后，硅片表面會產生一些污染主要以：微粗糙度，金屬污染和表面顆粒度以及有機沾污這些對器件性能有重大影響。以下簡單介紹一些清洗方法：
1.微粗糙度.以前一般常用RCV清洗技術清洗硅片，而在清洗過后硅片表面則會有較為嚴重的粗糙化作用。對于硅片表面的微粗糙度主要是受到RCA清洗工藝和HF清洗的影響，我們可以采用降低氨水含量和極度稀釋HF清洗技術，這樣可以保證硅片表面微粗糙度。
2.金屬污染.它會破壞薄氧化層的完整性，增加漏電流密度、減少其壽命；活動離子如鈉會在氧化層中引起移動電荷，影響器件的穩(wěn)定性；重金屬離子會增加暗電流；快擴散離子。如：銅、鎳，易沉積于硅片表面，形成微結構缺陷。當其污染嚴重時，不會形成霧狀缺陷，這缺陷會與氧化誘生成層錯和外延層錯相關。這個適合采用添加了表面活性劑的極度希釋RCA來進行清洗，這樣能有效去除表面顆粒，減少顆粒沉淀，來達到極少表面顆粒目的。
運用表面活性劑和HF的RCA改進工藝，能夠很好地控制拋光片表面的顆粒度和金屬污染，相對而言。
