濕法刻蝕機技術(shù)將聲波能量均勻分布在基板表面，提高分布能量以支持理想的清洗，并確保樣品的損傷閾值在范圍內(nèi)。該系統(tǒng)具有重復性高、均勻性好、Z級兆聲清洗、兆聲輔助光刻膠剝離和濕法刻蝕等特點。產(chǎn)品設(shè)計可按工藝研究步驟可以進行無損檢測、化學實驗試劑清洗、毛刷清洗、干燥等。

　　一.濕法和干法刻蝕機方法的優(yōu)缺點:

　　1.濕法蝕刻技術(shù)系統(tǒng)是通過分析化學蝕刻液與被蝕刻物發(fā)生發(fā)展化學物質(zhì)反應(yīng)而剝離的蝕刻方法。濕法蝕刻主要是各向同性蝕刻并且不容易控制。

　　特點：適應(yīng)性強，表面進行均勻，對硅片損傷小，幾乎可以適用于企業(yè)所有這些金屬、玻璃、塑料等材料。

　　缺點: 圖紙質(zhì)量不理想，圖中細線難以把握。

　　2.干法刻蝕機處理系統(tǒng)的刻蝕介質(zhì)為等離子體，利用等離子體與表面形成薄膜可以反應(yīng)過程中生成揮發(fā)性有機物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面問題進行刻蝕。

　　特點：實現(xiàn)各向異性蝕刻，保證細節(jié)轉(zhuǎn)換后圖像的保真度。

　　缺點：成本管理一般，微流控芯片的制備研究較少。

　　干法刻蝕機系統(tǒng)包括：用于容納等離子體的腔;腔體上方的石英板;多個磁鐵位于石英板上方;旋轉(zhuǎn)運動機構(gòu)，其驅(qū)動發(fā)展多個磁體旋轉(zhuǎn)，其中包括多個磁體產(chǎn)生磁體一起通過旋轉(zhuǎn)的磁場。通過進行進一步發(fā)展提高粒子的碰撞頻率，可以自己獲得好的等離子體均勻性，提高等離子體濃度。

　　理想的蝕刻工藝須具備以下特點：①各向異性蝕刻，即只有垂直蝕刻，沒有橫向底切。這樣可以保證在蝕刻的薄膜上準確地復制出與抗蝕劑相同的幾何圖形; ②蝕刻選擇性好，即抗蝕劑用作掩膜，其下有另一層。薄膜或材料的蝕刻速率遠小于被蝕刻薄膜的蝕刻速率，以保證在蝕刻過程中抗蝕劑掩膜的有效性，并且薄膜下的其他材料不會因過度蝕刻而損壞;③ 批量大，控制方便，成本低，環(huán)境污染小，適合工業(yè)化生產(chǎn)。