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刻蝕機(jī)和光刻機(jī)有什么區(qū)別?

2025年05月11日 08:33:09      來(lái)源:江蘇士磐半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺(tái)      閱讀量:8

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  刻蝕機(jī)和平版印刷機(jī)的區(qū)別在于,平版印刷機(jī)打印出圖案,然后刻蝕機(jī)根據(jù)打印出的圖案蝕刻出有圖案的(或未有圖案的)部分,剩下的部分留下。蝕刻比光刻更容易。如果把硅晶上的施工比作木匠的工作,那么光刻機(jī)的功能就相當(dāng)于木匠用墨斗在木頭上畫(huà)線,刻蝕機(jī)的功能相當(dāng)于木匠在木結(jié)構(gòu)上使用鋸子、鑿子、斧頭、刨子等。刻蝕機(jī)和光刻機(jī)具有相同的特性,但精度要求卻是天壤之別。木匠做工更加細(xì)致,一般可以精確到毫米。用于制作芯片的刻蝕機(jī)和光刻機(jī)要精確到納米級(jí)。今天的手機(jī)芯片,都是臺(tái)積電的10納米技術(shù)。

  什么是光刻機(jī)?

  光刻機(jī)是掩模進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題曝光機(jī)、曝光信息系統(tǒng)、光刻技術(shù)系統(tǒng)等。一般光刻工藝需要經(jīng)過(guò)硅片表面清洗、干燥、打底、旋涂光刻膠等步驟、軟烘烤、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘烤、顯影、硬烘烤和蝕刻。光刻是指使用光來(lái)創(chuàng)建圖案(過(guò)程);在硅片表面涂上膠水,然后將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上的工藝,暫時(shí)將器件或電路結(jié)構(gòu)“復(fù)制”到上面的硅片工藝中。

  光刻機(jī)的目的:

  使表面疏水,增強(qiáng)基材表面與光刻膠的附著力。

  光刻機(jī)器可分為三類:接近接觸光刻、直接寫(xiě)入光刻和投影光刻。接近學(xué)生接觸式通過(guò)自己無(wú)限可能接近復(fù)制掩模上的圖案;投影光刻技術(shù)利用數(shù)據(jù)投影物鏡將掩模版上的結(jié)構(gòu)以及投影到基板表面上;而直寫(xiě)則將光束聚焦到一個(gè)點(diǎn),移動(dòng)工件臺(tái)或鏡頭掃描,實(shí)現(xiàn)對(duì)于任意一種圖形信息處理。光學(xué)投影光刻一直是集成電路的主流光刻技術(shù),具有效率高、無(wú)損傷等優(yōu)點(diǎn)。

  什么是刻蝕機(jī)?

  其實(shí)狹義上理解為光刻刻蝕。首先通過(guò)光刻曝光處理,然后對(duì)需要去除的部分進(jìn)行蝕刻處理,并通過(guò)其他方法進(jìn)行處理。隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展,在廣義上,蝕刻已成為溶液、反應(yīng)離子或其他機(jī)械方法剝離和去除材料的通用術(shù)語(yǔ),已成為微細(xì)加工制造的總稱。

  刻蝕機(jī)原理:

  電感進(jìn)行耦合研究等離子技術(shù)刻蝕(InducTIvely Coupled Plasma Etch,簡(jiǎn)稱ICPE)是化學(xué)和物理教學(xué)過(guò)程可以共同發(fā)展作用的結(jié)果。其基本原理是在低真空壓力下,將icp射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈,并將一定比例的混合蝕刻氣體耦合到輝光放電,產(chǎn)生高密度等離子體。然后,這些等離子體轟擊基板表面,使基板圖案區(qū)半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵斷裂,隨蝕刻氣體產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì),以下列形式與基板分離氣體,然后被抽離真空管線。


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