，芯片的原料是沙子，但是從沙子到芯片，中間有N道工序，需要N種設(shè)備和spire技術(shù)。在這些器件中，光刻機(jī)和刻蝕機(jī)是較重要的。根據(jù)機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，光刻機(jī)的成本約占24%，而刻蝕機(jī)的成本約占20%，這兩種設(shè)備加起來占44%。

　　然后是薄膜沉積設(shè)備、測(cè)試設(shè)備和封裝設(shè)備，分別占20%、9%和6%。但是薄膜沉積設(shè)備不是只有一種，而是一種機(jī)器，種類很多，不同于光刻機(jī)和刻蝕機(jī)。

　　那么問題來了，既然這兩種設(shè)備如此關(guān)鍵，那么國內(nèi)光刻機(jī)和刻蝕機(jī)技術(shù)怎么樣，與水平相比差距有多大?

　　先說光刻機(jī)，這是大家較為關(guān)心的。目前世界上的光刻機(jī)自然是ASML的0.55孔徑的EUV光刻機(jī)。價(jià)格在22億左右，可以生產(chǎn)2nm以下甚至艾米(0.1nm)級(jí)別的芯片。然后是ASML的EUV光刻機(jī)，0.33口徑，十億元，可以生產(chǎn)5nm，4nm，3nm級(jí)別的芯片。但是，EUV光刻機(jī)只有ASML能生產(chǎn)，連尼康和佳能都不能生產(chǎn)。目前國內(nèi)廠商上海微電子可以生產(chǎn)，不為大眾所知(不太清楚)，只能用90nm工藝，距離ASML至少還有10年。

　　再說說刻蝕機(jī)，這一塊國產(chǎn)的很厲害。國內(nèi)有一家廠商叫微半導(dǎo)體，生產(chǎn)刻蝕機(jī)，精度3nm，被TSMC采用。微半導(dǎo)體的刻蝕機(jī)與國際應(yīng)用材料和林凡相比，處于同一水平，并不落后。另外薄膜沉積設(shè)備也是北方的華創(chuàng)生產(chǎn)的，但是精度在14nm左右，國產(chǎn)化率10%到15%。

　　可以看到，半導(dǎo)體設(shè)備的關(guān)鍵產(chǎn)品，除了光刻機(jī)，都不是特別落后。只要國產(chǎn)光刻機(jī)能有所突破，純國產(chǎn)芯片的技術(shù)就能快速突破。