晶圓加工包括氧化、擴(kuò)散、退火、離子注入、薄膜沉積、光刻、刻蝕、化學(xué)機(jī)械平坦化等十幾道工序。其中，三個關(guān)鍵的主要設(shè)備是光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和薄膜沉積設(shè)備，占前者設(shè)備的近70%。

　　刻蝕機(jī)工藝順序是在涂覆和光刻之后。簡單來說，刻蝕機(jī)的作用就好比雕刻中的切肉刀。利用光化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)物理刻蝕方法，去除附著在晶圓表面不需要的材料，只留下晶圓需要的材料和附著在其上的光刻膠。然后，多次重復(fù)上述步驟，得到一個結(jié)構(gòu)復(fù)雜的集成電路。

　　按照刻蝕工藝，主要分為干法蝕刻和濕法蝕刻。由于干法刻蝕可以實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，符合現(xiàn)階段半導(dǎo)體制造高精度、高集成度的要求，所以小規(guī)模的工藝基本都采用干法刻蝕工藝，導(dǎo)致干法刻蝕刻蝕機(jī)在半導(dǎo)體刻蝕市場占據(jù)主流地位。

　　根據(jù)被蝕刻的材料，可分為硅蝕刻、介質(zhì)蝕刻和金屬蝕刻。目前由于下游需求場景較多，電介質(zhì)刻蝕機(jī)和硅刻蝕機(jī)的相對較高，已經(jīng)成為市場主流。

　　近年來，刻蝕機(jī)市場規(guī)模大幅增長。刻蝕設(shè)備市場規(guī)模大幅增長的原因有很多，其中關(guān)鍵的有兩個:一是半導(dǎo)體生產(chǎn)線的資本支出增加，尤其是近年來中國建設(shè)了大量的晶圓廠和存儲生產(chǎn)線，帶來了大量的刻蝕機(jī)需求;二，由于晶圓代工和存儲生產(chǎn)線工藝的優(yōu)化，對刻蝕工藝的需求不斷增加，進(jìn)而對刻蝕機(jī)本身的需求也隨之增加。

　　市場的強(qiáng)勁增長自然會吸引眾多廠商來分一杯羹。但事實(shí)上，刻蝕機(jī)和大多數(shù)半導(dǎo)體器件一樣，一直是一個高度集中的行業(yè)，市場高度壟斷。