有些對(duì)工藝不熟悉的業(yè)者，很簡(jiǎn)單將刻蝕機(jī)與光刻機(jī)混淆。事實(shí)上，這兩款設(shè)備的工序和作用不同。業(yè)界有個(gè)簡(jiǎn)單的比喻：如果把芯片比作一幅平面雕琢作品，那么光刻機(jī)是打草稿的畫(huà)筆，刻蝕機(jī)是雕琢刀，堆積的薄膜則是用來(lái)雕琢的基礎(chǔ)資料。


　　光刻的精度直接決議了電路的走向和尺度，而刻蝕和薄膜堆積的精度則決議了光刻的尺度能否實(shí)際加工。原理說(shuō)來(lái)簡(jiǎn)單，但設(shè)備的實(shí)際研制難度仍是很高的。不僅由于芯片制作工序多、精度要求高。


　　還由于電路之間是立體存在的，上下堆疊、左右距離，而寬度也小到納米級(jí)別，其結(jié)構(gòu)擴(kuò)大無(wú)數(shù)倍來(lái)看比整個(gè)的街道都復(fù)雜?？涛g設(shè)備的競(jìng)賽格局刻蝕設(shè)備商場(chǎng)規(guī)模明顯提高的原因有多方面，其間關(guān)鍵的兩點(diǎn)。


　　一是半導(dǎo)體產(chǎn)線資本開(kāi)支提高，尤其是近年來(lái)建設(shè)大量晶圓廠以及存儲(chǔ)產(chǎn)線，帶來(lái)大量刻蝕機(jī)需求；二是由于晶圓代工以及存儲(chǔ)產(chǎn)線工藝優(yōu)化，帶來(lái)刻蝕工藝需求的繼續(xù)提高，進(jìn)而對(duì)刻蝕機(jī)本身需求增加。