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在半導(dǎo)體制作工藝中，80%以上的工序要經(jīng)過化學(xué)處理，而每一道化學(xué)處理都離不開超純水；在硅片的處理工序中，一半以上的工序經(jīng)過超純水清洗后便直接進(jìn)入高溫處理過程，此時(shí)如水中含有雜質(zhì)便會(huì)進(jìn)入硅片，造成器件性能下降成品率低。
電子工業(yè)提出的超純水電阻率≥18MΩ.cm (25℃),已極其接近理論純水水質(zhì)18.3 MΩ.cm (25℃)。對(duì)電解質(zhì)、DO、TOC、SIO2、顆粒及細(xì)菌等技術(shù)指標(biāo)提出更高要求。如256兆位的動(dòng)態(tài)隨機(jī)儲(chǔ)存器生產(chǎn)工藝，光刻線條寬已達(dá)0.1微米,要保證這一指標(biāo),超純水中顆粒徑就得≤0.05μm,而且≥0.05μm不得超過500個(gè)/升超純水。
指標(biāo) | 中華人民共和國(guó)電子級(jí)水國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T11446.1997） | ASTM電子級(jí)水 (E-I)標(biāo)準(zhǔn) (1993年) | ||||
EW-I | EW-II | EW-III | EW-IV | 設(shè)計(jì)參考值 | ||
電阻率 MΩ.cm(25℃) | 18以上 (95%時(shí)間) 不低于17 | 15 (95%時(shí)間)不低于13 | 12.0 | 0.5 | 10以上 (95%時(shí)間) 不低于5 | 18以上(90%時(shí)間)不低于 17 |
全硅,μg/L | 2 | 10 | 50 | 1000 | ≤20.0 | 5(SIO2) |
>1μm微粒數(shù), 值,個(gè)/mL | 0.1
| 5 | 10 | 500 | 10 | 0.1
|
細(xì)菌個(gè)數(shù), 值個(gè)/ mL | 0.01 | 0.1 | 10 | 100 | ≤<10 | 1/1000 |
銅值, μg/L | 0.2 | 1 | 2 | 500 | ≤2 | 1 |
鋅值, μg/L | 0.2 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 0.5 |
鎳值, μg/L | 0.1 | 1 | 2 | 500 | ≤2 | 0.1 |
鈉值, μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 1000 | ≤5 | 0.5 |
鉀值, μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 500 | ≤5 | 2 |
氯值, μg/L | 1 | 1 | 10 | 1000 | ≤10 | 1 |
硝酸根, 值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
磷酸根, 值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
硫酸根, 值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
總有機(jī)碳, 值, μg/L | 20 | 100 | 200 | 1000 | ≤200 | 1 |
細(xì)菌內(nèi)毒素 (E.U.) | 0.03 | |||||
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